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第三一七章记忆铭刻 (第4/7页)
……” 不想当着壹的面失态,李志峰深x1几口气强迫自己冷静下来,控制住情绪,“……永久记忆存储在大脑的多种区域,b如海马T、前额叶皮层和颞叶皮层,以复杂的神经网络连接形式存在……修改永久记忆意味着重塑这些神经网络,使新的虚假记忆在生理层面‘雕刻’进大脑中。这种修改必须让大脑自身认为这些记忆是真实的,不能在逻辑或情感上产生矛盾,否则受试者会很容易产生记忆紊乱和JiNg神崩溃。” “……短期记忆控制主要是调节神经元的活动,而永久记忆修改需要重新排列和连接大量神经元和突触……必须JiNg确地锁定和重塑神经元之间的突触连接,这是一种生物电和化学信号双重作用的复杂过程……难点在于神经网络的自我修复机制,如果虚假记忆与受试者的已有记忆矛盾,大脑会产生应激反应,b如焦虑、头痛、记忆混乱……仅仅植入事件X记忆是不够的,记忆必须带有完整的情感和感官T验,否则会被大脑视为虚构……” 李志峰侃侃而谈,给众人讲解他这段时间研究出来的永久记忆植入的核心原理,“……脑机接口依赖于一种磁X纳米粒子,这种粒子能够穿透血脑屏障,进入大脑神经元……这些粒子在大脑中分布,特别是集中在海马T和额叶皮层。海马T负责短期记忆转化为长期记忆,而额叶皮层负责情感和理X思维。外部的脑机接口通讯模块通过高频电磁脉冲,可以强制大脑中的特定神经元重复激活,形成长期突触增强……我把这个过程命名为Long-TermPotentiatio
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